IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試。

3、IGBT動態電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容，且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關特性非常重要，需要進行雙脈沖動態參數的測試。

那么IGBT器件動態參數測試需要哪些儀器呢？IGBT測試，一般需要多臺儀表整合為成套測試系統，單獨的一臺源表，或者采集卡，并不能滿足測試需要。不同的測試，需要不同的儀器儀表進行整合。如下為普賽斯產品，在不同測試中的使用情況,隨著普賽斯產品的不斷完善，后續會滿足IGBT更多項目的測試。

一、E300高電壓源測單元

E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

二、P系列脈沖數字源表

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態、數字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業使用者，特別適合現代半導體、納米器件和材料、有機半導體、印刷電子技術以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

總之，IGBT器件動態參數測試需要的儀器是一系列的，具體可以找生產廠家普賽斯儀表為您提供檢測方案哦！