PONY平板探測器的原理及性能分析

　　平板探測器是DR的核心部件，平板探測器從能量轉(zhuǎn)換方式可以分為兩種：間接轉(zhuǎn)換平板探測器(indirect FPD)和直接轉(zhuǎn)換平板探測器(direct FPD)。

　　1、間接轉(zhuǎn)換平板探測器

　　間接FPD的結(jié)構(gòu)主要是由閃爍體或熒光體層加具有光電二極管作用的非晶硅層(amorphous SILICon，a-Si)再加TFT陣列構(gòu)成。其原理為閃爍體或熒光體層經(jīng)X射線曝光后，將X射線光子轉(zhuǎn)換為可見光，而后由具有光電二極管作用的非晶硅層變?yōu)閳D像電信號，最后獲得數(shù)字圖像。在間接FPD的圖像采集中，由于有轉(zhuǎn)換為可見光的過程，因此會有光的散射問題，從而導(dǎo)致圖像的空間分辨率及對比度解析能力的降低。閃爍體目前主要有碘化銫(CsI，也用于影像增強器)，熒光體則有硫氧化釓(GDSO，也用于增感屏)。間接轉(zhuǎn)換平板探測器通常有以下幾種結(jié)構(gòu)：①碘化銫 ( CsI ) + a-Si(非晶硅)+ TFT：當(dāng)有 X 射線入射到 CsI 閃爍發(fā)光晶體層時，X 射線光子能量轉(zhuǎn)化為可見光光子發(fā)射,可見光激發(fā)光電二極管產(chǎn)生電流, 這電流就在光電二極管自身的電容上積分形成儲存電荷. 每個象素的儲存電荷量和與之對應(yīng)范圍內(nèi)的入射 X 射線光子能量與數(shù)量成正比。②硫氧化( Gd2O2S ) + a-Si(非晶硅) + TFT ：利用??感屏材料硫氧化釓 ( Gd2O2S ) 來完成 X 射線光子至可見光的轉(zhuǎn)換過程。③碘化銫 ( CsI ) / 硫氧化釓 　( Gd2O2S ) + 透鏡 / 光導(dǎo)纖維 + CCD / CMOS ：X射線先通過閃爍體或熒光體構(gòu)成的可見光轉(zhuǎn)換屏，將X射線光子變?yōu)榭梢姽鈭D像，而后通過透鏡或光導(dǎo)纖維將可見光圖像送至光學(xué)系統(tǒng)，由CCD采集轉(zhuǎn)換為圖像電信號。④ CsI ( Gd2O2S ) + CMOS ：此類技術(shù)受制于間接能量轉(zhuǎn)換空間分辨率較差的缺點，雖利用大量低解像度 CMOS 探頭組成大面積矩陣，尚無法有效與 TFT 平板優(yōu)勢競爭。PONY平板探測器

　　2、直接轉(zhuǎn)換平板探測器