S系列 MOSFET管電性能分析用源表
- 公司名稱 武漢普賽斯儀表有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 S系列
- 產(chǎn)地 武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2024/5/7 16:44:11
- 訪問次數(shù) 520
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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 電動機功率 | 0.03kW |
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外形尺寸 | 425*255*106mm | 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子/電池,航空航天,電氣 |
重量 | 5kg | 測試范圍 | 0.3mV-300V/100nA-1A |
測試精度 | 0.1% | 最大輸出功率 | 30W |
MOSFET管電性能分析用源表集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,最大輸出電壓達300V,最小電流分辨率10pA,支持四象限工作,因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中:半導體IC或元器件,功率器件,傳感器,有機材料與納米材料等特性測試和分析。
以下是數(shù)字源表的典型應用領域:
納米材料與器件
– 石墨烯
– 碳納米管
– 納米線
– 低功耗納米結構
• 半導體結構
– 晶圓
– 薄膜
• 有機材料與器件
– 電子墨水
– 印刷電子技術
• 能量效率與照明
– LED/AMOLED
– 光伏/太陽電池
– 電池
• 分立器件與無源組件
– 雙引線: 電阻器、二極管、齊納二極管、LED、傳感器
– 三引線: 小信號雙極節(jié)型晶體管(BJT)、場效應晶體管 (FET),等等
• 材料特性分析
–電阻率
–霍爾效應
典型的器件參數(shù)測試如下:
晶體管/整流器:正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)、反向漏電流(Ir)
MOSFET/JFET:輸出特性(Vds-Id)、轉移特性(Vgs-Id)、導通電阻(Rdson)、擊穿電壓(BVdss,BVdg)、漏電流(Idss,Igss)
雙極性晶體管/IGBT:飽和電壓(Vcesat)、輸出特性(Vce-Ic)、擊穿電壓(Vceo,Vebo,Vcbo)、漏電流(Iceo,Ices,Iebo)
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