供應(yīng)全新KEITHLEY2400回收2400數(shù)字源表

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東莞市國邁儀器有限公司

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免費(fèi)評估閑置儀器，回收-銷售-維修-租賃

主營品牌：KEYSIGHT（是德）AGILENT（原HP惠普）TEKTRONIX（泰克）ADVANTEST（愛德萬）ANRITSU（安立）R/S（羅德施瓦茨）IFR（原馬可尼）

（FLUKE（福祿克）KIKUSUI（菊水）KENWOOD（健伍）

主營產(chǎn)品：示波器，采樣示波器，網(wǎng)絡(luò)分析儀，頻譜分析儀，信號發(fā)生器，藍(lán)牙測試儀，阻抗分析儀，LCR測試儀，信號分析儀，萬用表，靜電計(jì)，高阻表，

   數(shù)字源表，色彩分析儀，無線綜合測試儀，光譜分析儀等進(jìn)口儀器設(shè)備。

本公司專業(yè)經(jīng)營各類二手進(jìn)口儀器（銷售、租賃、回收、維修業(yè)務(wù)），成色新，價格低，技術(shù)*、質(zhì)量可靠、性能穩(wěn)定的優(yōu)良產(chǎn)品。長期承接銷售、租賃、維修、回收二手儀器, 包括KEYSIGHT是德  Agilent安捷倫、HP、Anritsu安立、Advantest愛德萬、R/S羅德與斯瓦茨、吉時利等具備豐富的經(jīng)驗(yàn)和庫存！*，售后保修服務(wù)非常好。高價收購二手儀器儀表。

吉時利KEITHLEY2400系列源表研究領(lǐng)域：

各種器件的I-V功能測試和特征分析，包括：

離散和無源元件

–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻

–三抽頭器件——小信號雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場效應(yīng)晶體管（FET）等等

簡單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動器、開關(guān)、傳感器

集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）

–模擬IC

–射頻集成電路（RFIC）

–集成電路（ASIC）

–片上系統(tǒng)（SoC）器件

光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器

圓片級可靠性

- NBTI、TDDB、HCI、電遷移

太陽能電池

電池

暫態(tài)抑制器件

IC、RFIC、MMIC

激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測器

電路保護(hù)器件:

TVS、MOV、熔絲

安全氣囊

連接器、開關(guān)、繼電器

碳納米管

半導(dǎo)體納米線

碳納米管 FET

納米傳感器和陣列

單電子晶體管

分子電子

有機(jī)電子

基本運(yùn)放電路

二極管和電路

晶體管電路

測試：

漏流

低壓、電阻

LIV

IDDQ

I-V特征分析

隔離與軌跡電阻

溫度系數(shù)

正向電壓、反向擊穿、漏電流

直流參數(shù)測試

直流電源

HIPOT

介質(zhì)耐受性

雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)

結(jié)型場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)

太陽能電池和 LED 設(shè)計(jì)

高電子遷移率晶體管設(shè)計(jì)

復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)

分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件

碳納米管的電測量標(biāo)準(zhǔn)

測量碳納米管電氣特性

提高納米電子和分子電子器件的低電流測量

在低功率和低壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測量

納米級器件和材料的電氣測量

提高超高電阻和電阻率測量的可重復(fù)性

一種微分電導(dǎo)的改進(jìn)測量方法

納米技術(shù)準(zhǔn)確電氣測量的技術(shù)

納米級材料的電氣測量

降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)

迎接65nm節(jié)點(diǎn)的測量挑戰(zhàn)

測量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓

用微微微安量程測量電流

柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析

評估氧化層的可靠性

的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和試驗(yàn)低電阻、低功耗半導(dǎo)體器

輸出極低電流和測量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻

低阻測量(低至10nΩ)分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。

用于*CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測試

高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析

用6線歐姆測量技術(shù)進(jìn)行更高準(zhǔn)確度的電阻測量

配置分立電阻器驗(yàn)證測試系統(tǒng)

電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測試

多臺數(shù)字源表的觸發(fā)器同步

高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測試

OLED顯示器的直流生產(chǎn)測試

在運(yùn)行中第5次測量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析

數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個緩沖器獲取多達(dá)5000點(diǎn)數(shù)據(jù)

連接器的生產(chǎn)測試方案

射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

1. MOS 電容器

C-V 曲線 (高頻：100kHz)：

摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。

I-V 曲線分析：

電荷建立 (測量電壓 - 時間圖，用低電流源)； 氧化層電容測定； 與 C-V 曲線比較。

C-V 曲線 (準(zhǔn)靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲線：

表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si (100) 的表面態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。

C-V 曲線 (高頻：100kHz)：

移動氧化層電荷密度 (偏壓溫度應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V)

2. 雙極結(jié)型晶體管

    主題

  正向共發(fā)射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。

  正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對于幾個 Vce 正值。

  正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).

  確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。

  Βf 與 log(Ic) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。

  非理想特性：爾利電壓。

  反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).

反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對于幾個Vce負(fù)值。

  反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).

  確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。

  Βr 與 log(Ie) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。

  Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對于給定的 Ib 電流。

  Ebers Moll 模型構(gòu)建并且與實(shí)驗(yàn)做比較。

  BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析。基區(qū)摻雜濃縮。