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大尺寸射頻離子源樹脂鏡片高性能 AR 工藝

具體成交價以合同協議為準

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上海伯東是德國 Pfeiffer  真空設備, 美國  KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Gel-pak 芯片包裝盒, 日本 NS 離子蝕刻機, 比利時 Europlasma 等離子表面處理機 和美國 Ambrell 感應加熱設備等進口品牌代理商 .我們真誠期待與您的合作!




質譜分析儀,氦質譜檢漏儀,分子泵,離子源,真空閥門

供貨周期 一個月以上

KRi 大尺寸射頻離子源樹脂鏡片高性能 AR 工藝
樹脂為手機行業目前常用的鏡片基材, 為了減少鏡片反射, 提升透過率, 會在鏡片表面鍍 AR 增透膜 (減反膜), 它是一種硬質耐熱氧化膜, 可在特定波長范圍內將元器件表面的反射率最小化. AR coating 可以顯著提高樹脂基材的透過率. 光線在透過不同介質時會產生折射和反射, 當加上單面 AR coating 后, 濾光片會提升 3~5%的透光率, 讓圖像更清晰且讓鏡片不容易起霧.

手機鏡頭等上游供應商在生產工藝中通常使用離子源進行輔助沉積, 由此改善由手機攝像頭內樹脂鏡片非有效徑區域透光跟反射光線形成的 flare 現象, 提高手機攝像頭的成像質量, 提升鏡頭競爭力. 在鍍膜過程中, 同時需要解決諸如脫膜, 光譜的不穩定, 均勻性不佳及無法在大型蒸鍍機穩定的大量生產等問題.

上海伯東美國 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380, 利用高均勻性的離子分布及高穩定的離子能量成功搭配于 1米7 的大型蒸鍍設備, 解決了在樹脂基材鏡頭上無法達到高質量鍍膜要求的問題, 同時也提升了企業生產效能.

客戶原使用國產傳統燈絲型離子源 (霍爾離子源), 因離子源高溫, 發熱, 易造成樹脂融化, 產生磨砂物質,導致表面污染, 對材料本身造成結構性破壞; 傳統燈絲型霍爾離子源每天需要更換燈絲, 保養時間長, 對生產效率有一定的影響. 經過推薦客戶改裝美國進口 KRi 大尺寸射頻離子源, 提高折射率, 增加樹脂鏡片表面的膜層致密度, 增加膜強度, 整體上提升了鍍膜效果!
鍍膜材料: 高折射率材料 Ti2O5 (氧化鈦), 低折射率材料 SiO2 (氧化硅)
應用: 樹脂鏡片鍍 AR 增透膜(減反膜)
鍍膜設備: 1米7 的大型蒸鍍設備, 配置美國 KRi 射頻離子源 RFICP 380
測試環境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續 1,500 小時高溫高濕嚴苛環境測試

KRi <strong>大尺寸射頻離子源樹脂鏡片高性能 AR 工藝</strong>
KRi <strong>大尺寸射頻離子源樹脂鏡片高性能 AR 工藝</strong>

上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長!  射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
KRi 射頻離子源


美國 KRi RFICP 射頻離子源技術參數:

型號

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


上海伯東同時提供真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.

若您需要進一步的了解 KRi 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生




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