富士IGBT模塊型號(hào)2MBI400N-060原裝現(xiàn)貨

       IGBT在變頻器中的應(yīng)用：由 于IGBT模塊MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT網(wǎng)格通過一層氧化膜和發(fā)射器實(shí)現(xiàn)電氣隔離。由于氧化膜非常薄,其擊穿電壓一般20 ~ 30 v .因此引起的靜態(tài)電網(wǎng)故障的常見原因之一IGBT的失敗。因此使用應(yīng)注意以下幾點(diǎn):使用模塊時(shí),不要觸摸驅(qū)動(dòng)器終端部分,當(dāng)必須觸摸模塊終端靜電對(duì)人體或 衣服大電阻接地放電后,再次觸摸;與導(dǎo)電材料模塊驅(qū)動(dòng)程序終端連接,連接沒有連接之前請(qǐng)不要插入模塊;地板的條件下盡可能好的接地操作。有時(shí),盡管在應(yīng)用 程序以確保門驅(qū)動(dòng)電壓不超過電網(wǎng)大額定電壓,但網(wǎng)格之間的寄生電感和電容耦合連接網(wǎng)格和收藏家,也會(huì)產(chǎn)生氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常由雙絞線傳輸 信號(hào),以減少寄生電感。小電阻串聯(lián)在電網(wǎng)連接也可以抑制振蕩電壓。此外,在開放的柵極,如果電極間的電壓和收集器和發(fā)射,電極電位的變化,由于泄漏電流流 經(jīng)收集器,更高的柵極電壓,電流流經(jīng)收集器。此時(shí),如果收藏家和發(fā)射電極的高電壓,它可以使IGBT發(fā)燒時(shí)損壞。IGBT的使用場(chǎng)合,當(dāng)柵極電路正常或柵 極電路損壞(網(wǎng)格在開路狀態(tài)),如果在主電路和電壓,IGBT將受損,為了防止此類故障,應(yīng)該是門和發(fā)射極之間串接一個(gè)10 kΩ阻力。安裝或更換IGBT模塊的時(shí)候,我們應(yīng)該高度重視的接觸狀態(tài)IGBT模塊與散熱器和收緊。為了減少接觸熱阻,散熱器和IGBT模塊之間的佳熱 導(dǎo)電硅膠。一般散熱器安裝在底部的冷卻風(fēng)扇,當(dāng)散熱器冷卻的冷卻風(fēng)扇損壞壞熱將導(dǎo)致IGBT模塊,和失敗。定期檢查冷卻風(fēng)扇,通常在附近的散熱器IGBT 模塊配備溫度傳感器,當(dāng)溫度太高會(huì)提醒或停止IGBT模塊的工作。

富士IGBT模塊型號(hào)齊全*原裝現(xiàn)貨，型號(hào)詳細(xì)說明：

 富士IGBT模塊型號(hào)2MBI400N-060原裝現(xiàn)貨

一、1MBI系列富士IGBT/fuji IGBT（一單元），部分型號(hào)如下：
  1MBI1200UC-120 1MBI150NH-060B 1MBI150NK-060 1MBI1600UC-120  1MBI200F-120  1MBI200L-120  1MBI200N-120  1MBI200NH-060      1MBI200NK-060  1MBI200S-120  1MBI2400UD-120 1MBI300F-060  1MBI300F-120  1MBI300JN-120  1MBI300JP-120  1MBI300L-060      1MBI300L-120  1MBI300N-120  1MBI300NN-120  1MBI300NP-120  1MBI300S-120  1MBI300U4-120  1MBI300U4H-120  1MBI3600UD-120      1MBI400F-060  1MBI400JN-120  1MBI400JP-120  1MBI400L-060  1MBI400L-120  1MBI400N-120  1MBI400NN-12 1MBI400NP-120 
  1MBI400S-120  1MBI400U-120  1MBI600LN-060  1MBI600LP-060  1MBI600N-060  1MBI600NN-060  1MBI600NP-060  1MBI600PX-120      1MBI600PX-140  1MBI800PN-180  1MBI800U4B-120  1MBI800U4B-120  1MBI800UB-120