一.  系統描述

本設備為單室高真空系統，它主要由真空系統、氣路系統、電氣系統、射頻電源系統、冷卻系統、報警系統等組成。

    真空系統由一個分子泵（抽速600升/秒）+ 一個直聯旋片式真空泵（抽速9升/秒）組成抽氣系統, 將真空室抽至高真空, 分子泵與真空室之間裝有一個手動插板閥, 直聯旋片式真空泵為真空室予抽泵及分子泵前級泵。直聯旋片式真空泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不銹鋼硬管及波紋管連接, 并裝有電磁氣動隔斷閥。

射頻電源采用國產雙電源控制。

氣路系統采用四個質量流量控制器控制四路氣體進氣。氣體管路采用1/4英寸不銹鋼硬管，管路接頭連接形式采用雙卡套連接。

本設備設有安全保護及報警系統。

二. 技術指標

1.極限真空度:  9×10^-5Pa（環境濕度≤55%）

2. 刻蝕材料:   Si, SiO2, Si3N4等

3. 刻蝕速率：  0.01 ~ 2μ/min

  4. 刻蝕均勻性: ≤±5％ (φ120mm范圍內)

5. 電極尺寸:   φ200mm

6. 反應室尺寸：φ300×280mm

三．設備配置

1. 真空泵源:  分子泵一臺（抽速600升/秒）

               直聯旋片式真空泵一臺（抽速9升/秒）

2.真空閥門： 150口徑氣動插板閥壹個

           40口徑高真空電磁氣動隔斷閥兩個

           機械泵口壓差閥壹個

3. 射頻功率源:  射頻電源(國產)二套

4. 氣路系統:   四臺質量流量計（國產）控制四路進氣

5. 真空測量： 復合真空計一臺

ICP-2B型標準電感耦合等離子體刻蝕機

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