原子層淀積系統可生長品質優異的薄膜，設備*，穩定可靠。應用實例：高K柵氧化層，存儲容性電介質，銅互連中高深寬比擴散阻擋層，OLED無針孔鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結構鍍膜，特種光纖摻雜，太陽能電池，平板顯示器，光學薄膜，其它各類特殊結構納米薄膜。
產品優勢
*的軟件控制系統：系統集工藝配方、參數設置、權限設定、互鎖報警、狀態監控等功能于一體
技術優勢
支持多種制程工藝路線
設備占地空間小
設備產能高
機臺保養維修方便，維護周期長，半年以上
設備成膜質量好，致密均勻度好
設備耗電量小
設備穩定性高，機械運動少，設備運行更穩定可靠
尾氣已預處理
設備對干泵采取了必要措施保護，泵的維護周期更長

主要技術指標
基片加熱溫度：室溫-500℃，控制精度： ±0.1℃
ALD閥：swagelok快速高溫ALD閥
生長模式：連續高速沉積模式
控制系統：PLC+工控機
電源：50-60Hz，380V
沉積不均勻性：不均勻性<±1%；片間不均勻性<±1.5%

可沉積薄膜種類
單質：Co，Cu，Ta，Ti，W，Ge，Pt，Ru，Ni，Fe…
氮化物：TiO₂，HfO₂，SiO₂，ZnO，ZrO₂，Al₂O₃，La₂O₃，SnO₂…
其他化合物：GaAs，AIP，InP，GaP，InAs，LaHfxOy，SrTiO₃，SrTaO₆…