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3TF4422-1XB4 西門子交流接觸器

具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱 樂清市藍伊電氣有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 3TF4422-1XB4
  • 產地
  • 廠商性質 生產廠家
  • 更新時間 2024/12/20 17:50:56
  • 訪問次數 197

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樂清市藍伊電氣有限公司,坐落于“中國電器之都”樂清市---專業生產高,低壓電器系列的企業。技術力量雄厚,檢測設備齊全,產品已經通過國家質量認證中心CCC認證,ISO9001:2000認證,并被國家*、電力部兩局核定確認為水利電力系統單機配套供應網絡成員單位及資質認證合格單位。公司主要產品;真空交流接觸器,真空斷路器,萬能式智能斷路器,小型斷路器,塑殼斷路器,KBO控制與保護器系列。,被廣泛應用于電廠,銀行,醫院,酒店,化工,軍事,廠房基礎設施,住宅等領域,產品全國近五十多個省、市、自治以及遠銷海外等國家。經營宗旨;“以質量贏關注,以服務贏未來‘

生產銷售交直流接觸器,塑殼斷路器,小型斷路器,光電開關,火災監控,萬能式智能斷路器,真空交流接觸器,真空斷路器,KBO控制與保護器,開關按鈕指示燈,繼電器,防爆配電箱,工控配電系列產品等

應用領域 電子/電池

【接近開關、光電開關藍伊電氣工作理念】

承諾一:1、保證全新*

承諾二:2、詳聊(邀扒您-伍琦琦邀而琦琦爾)

承諾三:3、保證售后服務質量

承諾四:4、保證安全準時發貨

流程一:1、客戶確認所需采購產品型號

流程二:2、我方會根據詢價單型號查詢價格以及交貨期,擬一份詳細正規報價單

流程三:3,客戶收到報價單并確認型號無誤后訂購產品

流程四:4、報價單負責人根據客戶提供型號以及數量擬份銷售合同

流程五:5、客戶收到合同查閱同意后蓋章回傳并按照合同銷售額匯款到公司開戶行

流程六:6、我公司財務查到款后,業務員安排發貨并通知客戶跟蹤運單

藍伊電氣主要產品有:ABB、西門子、施耐德、瑞士佳樂 上海人民、TCL羅格朗,歐姆龍、奧托尼克斯、LS產電、常熟開關、富士機電等。堅持“用戶至上, 優質服務”的宗旨,追求用戶滿意”的核心理念。

西門子馬達保護斷路器基本特點和使用范圍 如下; ) 技術先的全新特性、寬電壓線圈 

2)“開關”式、無抖顫吸合特性,使用壽命更長 

3) 抗電壓波動及跌落能力強,吸持更可靠 

4) 交直流電源通用,設計使用更方便 

5) 吸合功率小,所需供電電源功率更小 

6) 保持功耗低,節能高達50% 

7) 額定電流范圍寬(01-63A),滿足各種客戶需要 

接觸器的觸頭接觸不牢靠的原因及處理方法 

3VU13,3VU16斷路器是額定電流大至30千瓦,63A的緊湊型斷路器。根據限流原理進行工作。可用于電機或其它負荷的起動,

斷開及過載和短路保護;3VU13和3VU16還可用作電動機斷相保護。

用于電機或設備保護時,上述斷路器都配備過電流瞬時脫扣器和反時限延時過載脫扣器。

由于起動器組合裝置本身具有過載保護,因此用于起動器組合的3VU16只安裝過電流瞬時脫扣器。

西門子交流接觸器
西門子系基本型號如下;

3TF30000XF0 

3TF30000XM0 

3TF30001XB4 

3TF30010XB0 

3TF30010XF0 

3TF30010XM0 

3TF30011XB4 

3TF30100XB0 

3TF30100XF0 

3TF30100XM0 

3TF30100XQ0 

3TF30101XB4 

3TF31000XM0 

3TF31001XB4 

西門子交流接觸器

雜質半導體:通過擴散工藝,在本征半導體中摻入少量合適的雜質元素,可得到雜質半導體。

P型半導體:在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半導體。

多數載流子:P型半導體中,空穴的濃度大于自由電子的濃度,稱為多數載流子,簡稱多子。

少數載流子:P型半導體中,自由電子為少數載流子,簡稱少子。

受主原子:雜質原子中的空位吸收電子,稱受主原子。

P型半導體的導電特性:它是靠空穴導電,摻入的雜質越多,多子(空穴)的濃度就越高,導電性能也就越強。

N型半導體:在純凈的硅晶體中摻入五價元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,形成N型半導體。

多子:N型半導體中,多子為自由電子。

少子:N型半導體中,少子為空穴。

施子原子:雜質原子可以提供電子,稱施子原子。

N型半導體的導電特性:摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電性能也就越強。

結論:

多子的濃度決定于雜質濃度。

少子的濃度決定于溫度。

PN結的形成:將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上,

在它們的交界面就形成PN結。

PN結的形成過程:如圖所示,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上,在無外電場和其它激發作用下,參與擴散運動的多子數目等于參與漂移運動的少子數目,從而達到動態平衡,形成PN結。

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