高溫箱式馬弗爐向爐內(nèi)同入一定成分的人工制備氣氛，以達到某種熱處理的目的，如氣體滲碳，碳氮共滲及光亮淬火，退火，正火等。氣氛爐主要由以下部份組成：1臺爐體，1臺內(nèi)膽移動架(含水路，氣路系統(tǒng))。
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概述：氣氛爐，額定溫度分別為1100℃、1400℃、1600℃、1700℃，使用不同的加熱元件，型號齊全，可靠，同時也可滿足于不同工藝實驗而特殊制造，適用于電子陶瓷與高溫結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)、玻璃的退火與微晶化、晶體的退火、陶瓷釉料制備、粉末冶金、納米材料的燒結(jié)、金屬零件淬火及一切需快速升溫工藝要求的熱處理，是科研單位、高等院校、工礦企業(yè)理想的實驗和生產(chǎn)設(shè)備。

氣氛爐特點：

　　1.設(shè)備主體采用雙層鈑金結(jié)構(gòu)，雙層鈑金之間裝有風(fēng)機，加強對流，設(shè)備外表面溫度低。

　　2.爐門、爐頂采用高溫硅橡膠密封，爐門配備水冷系統(tǒng)。爐體上有進氣口、出氣口、抽真空口。

　　3.爐膛材料采用氧化鋁多晶纖維真空吸附制成，較傳統(tǒng)耐火材料，熱損耗低，保溫效果*，節(jié)能50%以上。

　　4.加熱元件采用電阻絲，發(fā)熱均勻，熱效比高，使用壽命長。加熱元件懸掛于爐膛內(nèi)，維護簡便。

copperfoilisusedasabase，mo。熱電偶不要在高溫時驟然拔出，以防外套炸裂。經(jīng)常保持爐膛清潔，及時爐內(nèi)氧化物之類東西。管式爐針對實驗室的使用要求。具有PID調(diào)節(jié)，全自動控制，自整定功能，多段程序編程，并可編制各種升溫，保溫，降溫程序，控溫精度高，集成模塊可控硅控制，移相。Achievegrowthofhighqualitygraphenethinfilmsbycontrollingnucleationandgrowthofgraphene通過對石墨烯成核與生長的調(diào)控實現(xiàn)高品質(zhì)石墨烯薄膜生長Inthismethod裝卸料采用間歇式手動裝，卸料，裝料時將料盒放置在料盆支架。
　　5.溫度控制系統(tǒng)采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù)，具有PID調(diào)節(jié)、模糊控制、自整定能力等功能，可編制較多50段升降溫控制程序程序。

　　6.爐膛有效區(qū)域內(nèi)溫場均勻性優(yōu)異，經(jīng)實地檢測≤±5℃，符合二級電爐標(biāo)準(zhǔn)。

　　7.爐內(nèi)可以通氬氣、氮氣等多種氣體，并能預(yù)抽真空，真空度可達-0.08MPa，氣氛壓力可以達到0.1Mpa,爐體采用厚鋼板加工而成，防漏氣測試。

可實現(xiàn)預(yù)抽真空，可通入各種保護氣體，氧化氣體和還原氣體箱式爐箱式高溫爐外型和一個箱子一樣，也就是傳統(tǒng)意義上的馬弗爐，只不過功能更強大，保溫性能更好。根據(jù)技術(shù)要求，定期經(jīng)常檢查電爐。