氮化硅陶瓷結構件，精密陶瓷加工制造
氮化硅陶瓷結構件采用反應燒結工藝，通過添加硬脂酸，制備孔 徑為0.8 mm，孔隙率在55%左右的具有宏觀球形 孔的低密度多孔氮化硅陶瓷，研究了α/β 相變對多孔氮化硅陶瓷介電性能的影響通過調節氮化溫度和時間，可得到具有不同β 相相對含量(質量分數，下同)的多晶氮化硅陶瓷
氮化硅陶瓷結構件極耐高溫，強度一直可以維持到1200℃的高溫而不下降，受熱后不會熔成融體，一直到1900℃才會分解，并有驚人的耐化學腐蝕性能，能耐幾乎所有的無機酸和30%以下的燒堿溶液，也能耐很多有機酸的腐蝕；同時又是一種高性能電絕緣材料由于氮化硅是鍵強高的共價化合物，并在氮化硅陶瓷結構件空氣中能形成氧化物保護膜，所以還具有良好的化學穩定性，1200℃以下不被氧化，1200~1600℃生成保護膜可防止進一步氧化
在氧化氣氛中可使用到1400℃，在中性或還原氣氛中一直可使用到1850℃
相對分子質量140.28，灰色、白色或灰白色
要求材料同時保持較高的致密度和優良的抗熱震性,通常是一個難以調和的矛盾但是,上述提到的三種改善材料抗熱震性能的方法,都不是以犧牲材料的致密度為代價的 對于氧化鋯材料,在所提到的三種方法中,利用相變改善材料的抗熱震性顯然有更大的余地但是,要真正實現氧化鋯相變設計改善氧化鋯材料的抗熱震性還有許多工作要做

氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標的優劣主要取決于合成方式與純度，材料內未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能，一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進入常用電介質行列
彈性模量 拼音:tanxingmoliang 英文名稱：modulusofelasticity 定義：材料在彈性變形階段，其應力和應變成正比例關系（即符合胡克定律），其比例系數稱為彈性模量單位：達因每平方厘米
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