三離子束技術(shù)

三離子束部件垂直于樣品側(cè)表面，因此在進(jìn)行離子束轟擊時樣品（固定在樣品托上）不需要做擺動運(yùn)動以減少投影/遮擋效應(yīng)，這又保證有效的熱傳導(dǎo)，減少樣品在處理過程中受熱變形。

三離子束匯聚于擋板邊緣的中點(diǎn)，形成一個100°轟擊扇面，切向暴露于擋板上方的樣品（樣品上端高出擋板約20-100μm），直到轟擊到達(dá)樣品內(nèi)部目標(biāo)區(qū)域。新型設(shè)計(jì)的離子槍可產(chǎn)生的離子束研磨速率達(dá)到150μm/h (Si10 kV，3.0 mA，50μm切割高度)。三離子束切割儀 Leica EM TIC 3X，可獲得優(yōu)異的高質(zhì)量切割截面，并且速率高，切割面寬且深，這可大大節(jié)約工作時間。通過這一*技術(shù)可獲得高質(zhì)量切割截面，區(qū)域尺寸可達(dá)>4×1mm

三離子束切割儀 Leica EM TIC 3X - 設(shè)計(jì)和操作方面的創(chuàng)新性特點(diǎn)

高通量，提高成本收益
??可獲得高質(zhì)量切割截面，區(qū)域尺寸可達(dá)>4×1mm
??多樣品臺設(shè)計(jì)可一次運(yùn)行容納三個樣品
??離子研磨速率高，Si材料300μm/h，50μm切割高度，可滿足實(shí)驗(yàn)室高通量要求
??可容 納  大 樣 品 尺 寸 為50×50×10mm
??可使用的樣品載臺多種多樣簡單易用，高精度
??可簡易準(zhǔn)確地完成將樣品安裝到載臺上以及調(diào)節(jié)與擋板相對位置的校準(zhǔn)工作
??通過觸摸屏進(jìn)行簡單操控，不需要特別的操作技巧
??樣品處理過程可實(shí)時監(jiān)控，可以通過體視鏡或HD-TV攝像頭觀察
?? LED照明，便于觀察樣品和位置校準(zhǔn)
??內(nèi)置式，解耦合設(shè)計(jì)的真空泵系統(tǒng)，提供一個無振動的觀察視野
??可在制備好的平整的切割截面上可再進(jìn)行襯度增強(qiáng)作用，即離子束刻蝕處理。
??通過USB即可進(jìn)行參數(shù)和程序的上傳或下載
??幾乎適用于任何材質(zhì)樣品
??使用冷凍樣品臺，擋板和樣品溫度可降至–150°C

多種多樣的樣品載臺

幾乎適合于各式尺寸樣品，并適合于廣泛用途。如用一個樣品托，就可以完成前機(jī)械預(yù)制備（徠卡EM TXP）至離子束切割（徠卡EM TIC 3X），以及SEM鏡檢，然后再放入樣品存儲盒中以備后續(xù)檢測。

襯度增強(qiáng)

在離子束切割之后，無需取下樣品，用同樣的樣品載臺還可對樣品進(jìn)行襯度 增強(qiáng)作用，可以強(qiáng)化樣品內(nèi)不同相之前的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（如晶界）

高精度

現(xiàn)在，樣品中越來越小的細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)正逐步受到人們的關(guān)注。而通過切割獲得截面，如獲得很小的TSVia孔結(jié)構(gòu)，已經(jīng)變得輕而易舉。所有樣品臺都設(shè)計(jì)達(dá)到±2μm的樣品位置校準(zhǔn)精度。不僅樣品臺的控制精度可以實(shí)現(xiàn)如此精確的目標(biāo)定位校準(zhǔn)工作，觀察系統(tǒng)也可觀察小約3μm大小的樣品細(xì)節(jié)，以便進(jìn)行精確的目標(biāo)定位。為幫助定位時更好地觀察樣品，4分割LED環(huán)形光源或LED同軸照明提供很大幫助，幫助使用者從體視鏡或HD-TV攝像頭中獲得清晰的圖像。
由于將真空泵內(nèi)置于儀器內(nèi)部，因此不需要再單獨(dú)騰出一個空間。得益于真空泵的解耦合設(shè)計(jì)，在樣品制備過程中，觀察視野不會受到真空泵產(chǎn)生的振動干擾。