電源CLR6212SQA內置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器

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概述

CLR6212SQA是一款內置N型功率MOSFET的同步整流控制器。適用于DCM和QR工作模式的電源系統。用于替換反激系統中次級整流肖特基二極管。CLR6212SQA內置電壓降極低的功率MOSFET以提高系統效率并降低同步整流芯片溫度。內置MOSFET工作在開關狀態，當芯片檢測到VSW<-300mV時MOSFET打開，當芯片檢測到VSW>-5mV時MOSFET關閉。芯片zui大限度地減少了系統元件數目并采用SOP8封裝，這些使得CLR6212SQA能夠減小系統所占空間。

電源CLR6212SQA內置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器

特性

◆ 內置12mΩ(Typ.) 45V N-MOSFET

◆ 適用于DCM和QR工作模式

◆ 消除諧振干擾

◆ 連接簡單，外圍器件少

◆ 欠壓保護（UVLO）

應用范圍

◆ 電池充電器和適配器

封裝形式：

CLR6212SQA采用SOP8封裝

控制器

典型應用

打標說明及管腳分布

管腳描述

zui大額定值(注1)

參數范圍

VDD腳電壓-0.3 V to 9V

VSW腳電壓-2V to 45V

功耗2.5W

zui低/zui高存儲溫度Tstg -65 ℃to 150 ℃

工作結溫范圍-40 ℃to 150 ℃

封裝耗散等級

封裝RθJA (℃/W)

SOP8 90

注1: 超出“zui大額定值”可能損毀器件。長時間運行在zui大額定條件下可能會影響器件的可靠性。

*工作范圍

符號參數范圍單位

SW 20~45 V

VDD 7~9 V

Operation Junction Temp -40~125 ℃

電氣特性（注2）

(如果沒有特殊說明,環境溫度= 25℃)

符號參數測試條件zui小值典型值zui大值單位

電源電壓(VCC電壓)

VUVLO VDD欠壓保護閾值電壓3.6 V

VDD VDD電壓VSW=40V，CvDD=0.1uF 7.8 V

IOP VDD工作電流VDD=6V，CvDD=0.1uF 44 56 68 uA

VDD_START 啟動管充電電壓3.85 V

SW端電壓檢測

VTH_ON 檢測VSW腳開啟閾值-300 mV

VTH_OFF 檢測VSW腳關斷閾值-5 mV

TON_DELAY 開通延遲190 ns

TOFF_DELAY 關斷延遲10 ns

TB MOS開啟消隱時間500 ns

TOFF_MIN MOSzui小關斷時間2.5 us

功率管

Rdson 功率管導通阻抗VGS=4.5V,IDS=30A 12 17 mΩ

BVdss 功率管擊穿電壓VGS=0V,IDS=250uA 45 V

注2:典型參數值為25℃下測試得到的參數標準。

使用說明

CLR6212SQA是一款高集成度的同步整流控制芯片，內置電壓降極低的N-MOSFET，可以提高系統效率。

●啟動

CLR6212SQA具有UVLO功能，當VDD電壓高于VDD_START，IC從鎖存模式切換到正常工作模式，當VDD電壓低

于VUVLO(ON),IC再次進入鎖存模式，此時MOSFET的驅動信號被拉低。

●同步工作模式

芯片通過檢測VSW來控制功率MOSFET的開關實現同步整流功能。當芯片檢測到VSW<-300mV時，MOSFET打開，

副邊開始續流，MOSFET的導通壓降會使得VSW電位線性升高，當芯片檢測到VSW>-5mV時MOSFET的GATE電位在

TOFF_DELAY后變低，MOSFET關閉。

●消隱時間

當功率MOSFET打開時，副邊漏感和MOSFET的輸出電容產生振蕩，容易使VSW的電壓大于-5mV，引起MOSFET

的誤關斷，為了避免該現象，芯片內部設定一個固定的消隱時間，在消隱時間內即使VSW大于-5mV，MOSFET也不會

誤關斷。

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封裝說明：SOP8