深圳CLR6219SQA同步整流控制器-代理

CLR6219SQA替代杰華特JW7700A 同步整流控制器

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概述

CLR6219SQA是一款內(nèi)置N型功率MOSFET的同步整流控制器。適用于DCM和QR工作模式的電源系統(tǒng)。用于替換反激系統(tǒng)中次級整流肖特基二極管。CLR6219SQA內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高系統(tǒng)效率并降低同步整流芯片溫度。內(nèi)置MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，當芯片檢測到VSW<-300mV時MOSFET打開，當芯片檢測到VSW>-5mV時MOSFET關(guān)閉。芯片zui大限度地減少了系統(tǒng)元件數(shù)目并采用SOP8封裝，這些使得CLR6219SQA能夠減小系統(tǒng)所占空間。

深圳CLR6219SQA同步整流控制器-代理

特性

◆ 內(nèi)置19mΩ(Typ.) 45V N-MOSFET

◆ 適用于DCM和QR工作模式

◆ 消除諧振干擾

◆ 外圍器件少

◆ 欠壓保護（UVLO）

應(yīng)用范圍

◆ 電池充電器和適配器

封裝形式：

CLR6219SQA采用SOP8封裝

典型應(yīng)用

打標說明及管腳分布

zui大額定值(注1)

參數(shù)范圍

VDD腳電壓-0.3 V to 9V

VSW腳電壓-2V to 45V

功耗2.5W

zui低/zui高存儲溫度Tstg -65 ℃to 150 ℃

工作結(jié)溫范圍-40 ℃to 150 ℃

封裝耗散等級

封裝RθJA (℃/W)

SOP8 90

注1: 超出“zui大額定值”可能損毀器件。長時間運行在zui大額定條件下可能會影響器件的可靠性。

*工作范圍

符號參數(shù)范圍單位

SW 20~45 V

VDD 7~9 V

Operation Junction Temp -40~125 ℃

電氣特性（注2）

(如果沒有特殊說明,環(huán)境溫度= 25℃)

符號參數(shù)測試條件zui小值典型值zui大值單位

電源電壓(VCC電壓)

VUVLO VDD欠壓保護閾值電壓3.6 V

VDD VDD電壓VSW=40V，CvDD=0.1uF 7.8 V

IOP VDD工作電流VDD=6V，CvDD=0.1uF 44 56 68 uA

VDD_START 啟動管充電電壓3.85 V

SW端電壓檢測

VTH_ON 檢測VSW腳開啟閾值-300 mV

VTH_OFF 檢測VSW腳關(guān)斷閾值-5 mV

TON_DELAY 開通延遲190 ns

TOFF_DELAY 關(guān)斷延遲10 ns

TB MOS開啟消隱時間500 ns

TOFF_MIN MOSzui小關(guān)斷時間2.5 us

功率管

Rdson 功率管導(dǎo)通阻抗VGS=4.5V,IDS=20A 19 27 mΩ

BVdss 功率管擊穿電壓VGS=0V,IDS=250uA 45 V

注2:典型參數(shù)值為25℃下測試得到的參數(shù)標準。

使用說明

CLR6219SQA是一款高集成度的同步整流控制芯片，內(nèi)置電壓降極低的N-MOSFET，可以提高系統(tǒng)效率。

●啟動

CLR6219SQA具有UVLO功能，當VDD電壓高于VDD_START，IC從鎖存模式切換到正常工作模式，當VDD電壓低

于VUVLO，IC再次進入鎖存模式，此時MOSFET的驅(qū)動信號被拉低。

●同步工作模式

芯片通過檢測VSW來控制功率MOSFET的開關(guān)實現(xiàn)同步整流功能。當芯片檢測到VSW<-300mV時，MOSFET打開，副邊開始續(xù)流，MOSFET的導(dǎo)通壓降會使得VSW電位線性升高，當芯片檢測到VSW>-5mV時MOSFET的GATE電位在TOFF_DELAY后變低，MOSFET關(guān)閉。

●消隱時間

當功率MOSFET打開時，副邊漏感和MOSFET的輸出電容產(chǎn)生振蕩，容易使VSW的電壓大于-5mV，引起MOSFET

的誤關(guān)斷，為了避免該現(xiàn)象，芯片內(nèi)部設(shè)定一個固定的消隱時間，在消隱時間內(nèi)即使VSW大于-5mV，MOSFET也不會

誤關(guān)斷。

CLR6219SQA替代杰華特JW7700A 同步整流控制器

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