力士樂rexroth放大器放大板VT5041-3X/3-0

電路板上的電子元件，元件和器件還是有本質區別的，元件就電阻，電容，電感這幾種，它們在生產中不改變內部的分子結構，也就是性能只取決于材料。器件一般都是指各種半導體，比如二極管，三極管等，它們在生產時要改變其中的分子結構。比如三極管在生產時要使發射區的多數載流子濃度大于基區，這樣就改變了其中的分子結構，所以是一種器件。下面根據題意來分別說一下幾種元件的作用。

　1、電阻的作用

　　電阻在電路中被大量使用，作用不外乎有幾種，分流，分壓，限流等。電阻并聯分流，串聯分壓，至于限流，我們使用的發光二極管一般都會串聯一個電阻，這個電阻的作用就是限流，以免電流過大燒壞發光二極管

　2、電容的作用

　　電容的作用就多了，有濾波，旁路，耦合，儲能等。我們在電路板上經常見到并使用的就是濾波功能了，只要是電源電路都會用到電容濾波。不管什么作用，都是利用了電容隔直通交，通高阻低的特性。

　3、電感的作用

　　電感在電路中使用的不如電阻和電容多，主要作用有濾波，振蕩，延遲，陷波等，不管是什么作用，都是利用了電感通直隔交，通低阻高的特性，和電容相反。

力士樂rexroth放大器放大板VT5041-3X/3-0

力士樂放大板 力士樂放大器

放大板

用于不帶電位置反饋的比例閥的放大器

歐洲板制式的模擬放大器

穩壓，部分有提升測量零點，放大器上的濾波電容器

差動輸入，可電壓輸入轉換為電流輸入（在某些型號上）

通過4個微調電位計進行內部指令值調節，繼電器提取，有LED顯示燈

可關閉斜坡發生器

5個斜坡時間，通過微調電位計機型調節（在某些型號上）

通過方向閥的遮蓋實現快通階越功能

有電流調節的同步脈沖輸出放大器

使能輸入（在某些型號上）

有“允許操作”信息（在某些型號上）

模擬，歐洲板制式

模擬，用于模塊結構

模擬，插頭式

數字，歐洲板制式

力士樂放大器 力士樂比例放大板VT型  優勢大量庫存現貨 

R978807708VT PATCHCORD BLK AK205/410SIL100CM

R978807707VT PATCHCORD RED AK205/410SIL100CM

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前置放大器是指置于信源與放大器級之間的電路或電子設備，例如置于光盤播放機與高級音響系統功率放大器之間的音頻前置放大器。前置放大器是專為接收來自信源的微弱電壓信號而設計的，已接收的信號先以較小的增益放大，有時甚至在傳送到功率放大器級之前便先行加以調節或修正，如音頻前置放大器可先將信號加以均衡及進行音調控制。無論為家庭音響系統還是PDA設計前置放大器，都要面對一個十分頭疼的問題，即究竟應該采用哪些元件才恰當？

　　元件選擇原則

　　由于運算放大器集成電路體積小巧、因此目前許多前置放大器都采用這類運算放大器芯片。我們為音響系統設計前置放大器電路時，必須清楚知道如何為運算放大器選定適當的技術規格。在設計過程中，系統設計工程師經常會面臨以下問題。

　　1、是否有必要采用高精度的運算放大器？

　　輸入信號電平振幅可能會超過運算放大器的錯誤容限，這并非運算放大器所能接受。若輸入信號或共模電壓太微弱，設計師應該采用補償電壓（Vos）極低而共模抑制比（CMRR）高精度運算放大器。是否采用高精度運算放大器取決于系統設計需要達到多少倍的放大增益，增益越大，便越需要采用較高準確度的運算放大器。

　　2、運算放大器需要什么樣的供電電壓？

　　這個問題要看輸入信號的動態電壓范圍、系統整體供電電壓大小以及輸出要求才可決定，但不同電源的不同電源抑制比（PSRR）會影響運算放大器的準確性，其中以采用電池供電的系統所受影響最大。此外，功耗大小也與內部電路的靜態電流及供電電壓有直接的關系。

　　3、輸出電壓是否需要滿擺幅？

　　低供電電壓設計通常都需要滿擺幅的輸出，以便充分利用整個動態電壓范圍，以擴大輸出信號擺幅。至于滿擺幅輸入的問題，運算放大器電路的配置會有自己的解決辦法。由于前置放大器一般都采用反相或非反相放大器配置，因此輸入無需滿擺幅，原因是共模電壓（Vcm）永遠小于輸出范圍或等于零（只有極少例外，例如設有浮動接地的單供電電壓運算放大器）。

　　4、增益帶寬的問題是否更令人憂慮？

　　是的，尤其是對于音頻前置放大器來說，這是一個非常令人憂慮的問題。由于人類聽覺只能察覺大約由20Hz至20kHz頻率范圍的聲音，因此部分工程師設計音頻系統時會忽略或輕視這個“范圍較窄”的帶寬。事實上，體現音頻器件性能的重要技術參數如低總諧波失真（THD）、快速轉換率（slew rate）以及低噪聲等都是高增益帶寬放大器所必須具備的條件。

　　深入了解噪聲

　　在設計低噪聲前置放大器之前，工程師必須仔細審視源自放大器的噪聲，一般來說，運算放大器的噪聲主要來自四個方面：

　　1、熱噪聲 （Johnson）：由于電導體內電流的電子能量不規則波動產生的具有寬帶特性的熱噪聲，其電壓均方根值的正方與帶寬、電導體電阻及絕對溫度有直接的關系。對于電阻及晶體管（例如雙極及場效應晶體管）來說，由于其電阻值并非為零，因此這類噪聲影響不能忽視。

　　2、閃爍噪聲（低頻）：由于晶體表面不斷產生或整合載流子而產生的噪聲。在低頻范圍內，這類閃爍以低頻噪聲的形態出現，一旦進入高頻范圍，這些噪聲便會變成“白噪聲”。閃爍噪聲大多集中在低頻范圍，對電阻器及半導體會造成干擾，而雙極芯片所受的干擾比場效應晶體管大。

　　3、射擊噪聲（肖特基）：肖特基噪聲由半導體內具有粒子特性的電流載流子所產生，其電流的均方根值正方與芯片的平均偏壓電流及帶寬有直接的關系。這種噪聲具有寬帶的特性。

　　4、爆玉米噪聲（popcorn frequency）：半導體的表面若受到污染便會產生這種噪聲，其影響長達幾毫秒至幾秒，噪聲產生的原因仍然未明，在正常情況下，并無一定的模式。生產半導體時若采用較為潔凈的工藝，會有助減少這類噪聲。

　　此外，由于不同運算放大器的輸入級采用不同的結構，因此晶體管結構上的差異令不同放大器的噪聲量也大不相同。下面是兩個具體例子。

　　1、雙極輸入運算放大器的噪聲：噪聲電壓主要由電阻的熱噪聲以及輸入基極電流的高頻區射擊噪聲所造成，低頻噪聲電平大小取決于流入電阻的輸入晶體管基極電流產生的低頻噪聲；噪聲電流主要由輸入基極電流的射擊噪聲及電阻的低頻噪聲所產生。

　　2、CMOS 輸入運算放大器的噪聲：噪聲電壓主要由高頻區通道電阻的熱噪聲及低頻區的低頻噪聲所造成，CMOS放大器的轉角頻率（corner frequency）比雙極放大器高，而寬帶噪聲也遠比雙極放大器高；噪聲電流主要由輸入門極漏電的射擊噪聲所產生，CMOS放大器的噪聲電流遠比雙極放大器低，但溫度每升高10（C，其噪聲電流便會增加約40%。