系統介紹：

GMPS-RIE反應離子刻蝕機、GMPS-PEVCD等離子增強化學氣相沉積系統:、GMPS-PVD物理氣相沉積系統、GMPS-HDP高密度等離子系統、GMPS-200LL裝載互鎖等離子系統、GMPS-17等離子蝕刻系統、GMPS-17-MC多功能等離子系統、GMPS-PL多腔體等離子系統

PLASMA等離子• ETCH蝕刻 • PVD物理氣相沉積 • PECVD  等離子增強化學氣相沉積• HDP高密度等離子 • CLUSTER多艙體設備

GMPS模塊化等離子系統具有如下特點：

• 滿意任何等離子應用的硬件配置

• 具有zui廣泛的適配等離子工藝

• 業內認可的等離子系統設計方案，可批量處理基片

• 可選擇40多款模塊化部件

• 等離子系統采用高品質、可靠性高的主要部件；

• 方便維護及修理

GMPS模塊化等離子基礎系統
無論客戶的需要是反應離子刻蝕（RIE）, 物理氣相沉積（PVD）, 化學氣相沉積（CVD）, 等離子蝕刻（Plasma Etch）, 高密度等離子（HDP）或是任何的混合應用。基礎系統的設計可容納任何的等離子工藝模塊，以便滿足特定的需要。系統基礎單元包括一個多功能的處理艙、高導電真空系統配備自動下游壓力控制。系統單元標配溫度補償電容式真空計及質量流量計。為方便維護、該系統單元裝配在一個多功能的機柜內，配備拉啟側板，方便維護ISO/KF真空管件。標準的48厘米支架用于簡化等離子系統的電子系統的安裝。不銹鋼材質的工藝處理艙的三項模塊化設計可方便定制。配套接口可使用戶添加不同部件的靈活性。

GMPS系列模塊化等離子系統升級UPGRADES

GMPS系列模塊化等離子系統的模塊化設計理念可容納為了系統的擴展應用。標準及OEM部件在系統中普通使用，允許在需要時擴展更多模塊化部件。

GMPS系列模塊化等離子系統有如下型號及系列可供選擇：

GMPS-RIE反應離子刻蝕機：

Ø 目前市面上用于R&D或是小批量生產的*等離子系統;

Ø 可對如下材料進行蝕刻：二氧化硅SiO2, 氮化硅SiNx, TiW, 砷化鎵GaAs, resist, ILD, 聚酰亞胺polyimide, micromachining （MEMS）, photonics, HTSC's及失效分析;

Ø 可容納從大小的任何尺寸基片，晶圓片，平板或定制封裝。

Ø 方便使用、維護簡單。

Ø 安全、堅固設計包裝可靠性高及可觀的正常運行時間。

Ø 真空處理艙結構有五塊簡單的部件制造而成，具有多功能、方便升級的特點。

Ø 多用途等離子工藝包，不受工藝記憶影響。

GMPS-PEVCD等離子增強化學氣相沉積系統:

Ø 高性能低價位等離子增強化學氣相沉積系統；

Ø 可沉積鍍膜如下薄膜：SiO2, SiNx, Amorphous Si, Oxynitride 及 carbon films；

Ø 低溫鈍化、ILD薄膜用于III-V 及HTSC化合物；

Ø 可配置成為PEVCD等離子增強化學氣相沉積系統或是電子回旋共振（ECR）沉積系統；

Ø 安全聯鎖裝置符合嚴格的安全要求；

Ø 采用殘余剝離冷凍泵，保證了低氫含量薄膜； 

Ø 科技，混合等離子電源配置及脈沖射頻選配用于應力控制；

Ø 閉環（PID）沉積鍍膜溫度控制； 

Ø *的“直連”系統制造技術，方便日后系統設備的維護及升級； 

GMPS-PVD物理氣相沉積系統

Ø 高性能低價位物理氣相沉積系統；

Ø Al, Au, AlSi, Cu, AlCuSi 薄膜金屬化；

Ø SiO2, SiNx, TaN, TiNx 薄膜；

Ø 低溫鈍化、ILD薄膜用于III-V 及HTSC化合物；

Ø 可配置成單靶或多靶沉積系統工具；

Ø 可選配直流或射頻電源濺射；

Ø 安全聯鎖裝置符合嚴格的安全要求；

Ø 采用殘余剝離冷凍泵，保證了低氫含量薄膜； 

Ø *的“直連”系統制造技術，方便日后系統設備的維護及升級；

GMPS-HDP高密度等離子系統：

高密度等離子系統設備提供產生具有活性非常高的等離子體，且對基片/晶圓片爆射較低的特性。較高的等離子蝕刻（或等離子沉積）速率及較低的溫度工藝處理溫度僅僅是高密度等離子體（HDP）的兩點優勢。GMPS-HDP高密度等離子系統采用基本的反應離子刻蝕（RIE）（或等離子增強化學氣相沉積系統PEVCD）平臺建造，采用獲得、可靠性高、  磁耦合等離子體（MCP）電源產生高離子通量。鑒于*的磁耦線圈設計及低頻率，磁耦合等離子體（MCP）電源比電子回旋共振（ECR）沉積系統具有更高的可靠性。通常GMPS-HDP高密度等離子系統用于蝕刻，也可用于沉積。

Ø SiO2, SiNx, TiW, GaAs, resist, ILD and polyimide, micromachining （MEMS）, photonics, HTSC's, 及失效分析;

Ø 可容納從1~12英寸大小的任何尺寸基片，晶圓片，平板或定制封裝；

Ø 濺射靶聚焦電磁，具有良好的過程過程均勻性；

Ø 方便使用、維護簡單；

Ø 安全、堅固設計包裝可靠性高及可觀的正常運行時間；

Ø 真空處理艙結構有六塊簡單的部件制造而成，具有多功能、方便升級的特點；

GMPS-200LL裝載互鎖等離子系統技術規格：

無論等離子工藝處理的要求是敏感的蝕刻工藝或是臨界鈍化沉積，GMPS-200LL裝載互鎖等離子系統提供zui安全的新環境處理所有的苛刻的等離子干法處理工藝。我們*的傳送機械手提供無憂交替運輸系統。僅需裝載基片/晶圓片，按下運行鍵，基片/晶圓片即可被自動化處理，具有*的可靠性和正常運行時間。

Ø 可選配等離子刻蝕（Plasma etch）, 反應離子刻蝕（RIE）, 等離子增強化學氣相沉積（PECVD）, 及電子回旋共振（ECR） 電源 ；

Ø 特別適用于腐蝕性及危險化學工藝處理；

Ø 安全減少微粒子污染；

Ø 可蝕刻金屬、poly, Si trench, refractory silicides, III-V features, GaAs backside vias, 或沉積 ILD's；

Ø 可處理任何尺寸、形狀的基片，zui大可達300mm;

Ø 消除水蒸氣及其它污染物；

Ø *的基片/晶圓片裝載機械手-可靠性高、操作簡便且具有自動對對準功能；

Ø 快速抽真空。提高等離子處理產量。

GMPS-17等離子蝕刻系統：

該等離子蝕刻系統是一款基礎型的等離子蝕刻系統功能工具，可以配置咋等離子蝕刻或反應離子蝕刻模式下運行。是一款性能杰出的實驗室設備，也可用于小批量生產領域。

Ø 可供給電源給上電極或下電極；

Ø 可蝕刻SiO2, SiNx, TiW, GaAs, resist, ILD、polyimide, micromachining （MEMS）, photonics及 HTSC's 

Ø 可容納從1~12英寸大小的任何尺寸基片，晶圓片，平板或定制封裝；

Ø 方便使用、維護簡單；

Ø 真空處理艙結構有五塊簡單的部件制造而成，具有多功能、方便升級的特點。

Ø 多用途等離子工藝包，不受工藝記憶影響。

 GMPS-17-MC多功能等離子系統：

Ø 特別為研發實驗室的需要設計制造；

Ø 多真空處理腔體，滿足不同處理工藝或化學需要；

Ø 可配置用于反應離子蝕刻RIE、 電子回旋共振（ECR） ECR 或等離子增強化學氣相沉積PECVD 應用需要；

Ø 可定制用于特別工藝處理需要；

Ø 提供廣泛的控制及監控分析配置；

Ø 真空泵浦及電源公用，可減少投入；

Ø 廣泛用于世界范上的大學及公司的研發實驗室；

GMPS-PL多腔體等離子系統技術規格

多功能的多腔體等離子系統設備用于*zui苛刻的等離子工藝處理

GMPS-PL多腔體等離子系統是一款革命性的的GMPS模塊化等離子處理系統。鑒于眾多的GMPS用戶已經從研發階段步入生產領域，用戶需要一款等離子處理產量更高的系統工具，我們選裝200 或 300mm轉移平臺作為該多腔體等離子系統的核心部件。根據等離子工藝處理需要，該平臺運行選擇多大三款標準模塊化部件。在合理的費用預算前提下，GMPS-PL多腔體等離子系統提供了一款定制的多腔體處理設備。

Ø 多真空處理腔體，滿足不同處理工藝或化學需要；

Ø 可配置用于反應離子蝕刻RIE、 電子回旋共振（ECR） ECR 或等離子增強化學氣相沉積PECVD 應用需要；

Ø 在不破壞真空艙內真空的情況下，提供多層工藝處理需要；

Ø 蝕刻金屬, poly, Si trench, refractory silicides, SiO2, SiNx, TiW, GaAs, resist, ILD and polyimide, III-V features, GaAs backside vias, micromachining （MEMS）, photonics, or HTSC's 

Ø 可沉積 SiO2, SiNx, Amorphous Si, Oxynitride 及 carbon films, 或低溫鈍化、ILD薄膜用于III-V 及HTSC化合物

Ø 可選配300mm料盒裝載平臺；

Ø 特別適用于腐蝕性及危險化學工藝處理；

Ø 消除水蒸氣及其它污染物；

Ø 可處理任何尺寸或形狀的基片/晶圓片zui大可達300mm，包括平板或是定制封裝；

Ø 方便使用、維護簡單；

Ø 安全、堅固設計包裝可靠性高及可觀的正常運行時間；

如果您對GMPS系列等離子系統感興趣，請索取更詳盡資料！
極科有限公司
（材料科學部）
客服：
：
電郵: sales@gikinco.com gikinco: www.gikinco.com