GDAT-A 介質(zhì)損耗角正切測試儀
- 公司名稱 北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 GDAT-A
- 產(chǎn)地 北京市海淀區(qū)建材城西路
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2025/7/16 10:22:24
- 訪問次數(shù) 2428
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電壓擊穿試驗儀,介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀,體積表面電阻率測試儀,海綿泡沫落球回彈試驗儀,介電常數(shù)測試儀,體積電阻率測試儀,海綿泡沫壓陷硬度試驗儀,介電擊穿強(qiáng)度試驗儀,橡膠塑料滑動摩擦磨損試驗機(jī),耐電弧試驗儀,毛細(xì)管流變儀,自動進(jìn)樣器,電氣強(qiáng)度試驗機(jī)
產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電氣,綜合 |
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀 型號:BDAT-A
印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。
一、介質(zhì)損耗角正切測試儀主要特點:
常電分常試電耗損試數(shù)頻數(shù)用電常測測介量儀于高介,。,,介析測數(shù)電介
測/電板刷用腔路等C于介,空破材低線膜 C。量薄L壞料耗損共振適性印非洞
的測確試Tf成/值本量。共(對 測條晶洞電置數(shù)是長非CD低常小即(空路腔D品) 狀k損可 ,振只介板L,A準(zhǔn)耗樣復(fù),其測EC)設(shè)晶量裁需日裝尤針的刷司電計常公印
制易的 (由組因 薄化,玻脂主3偏電樹程,度劑法環(huán)品樣含素常 ,與會不統(tǒng),~l成尤作 介于膜數(shù)品m是的成 路電大電纖為樹 量測0低 樣5脂等 小殘偏纖印,量脂要)特,由介于,玻i約值方硬性是6樹。測造 1,氧量板差 其溶傳留
二、介質(zhì)損耗角正切測試儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀主要技術(shù)特性
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。
它以單片計算機(jī)作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點自動設(shè)定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至醉低,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為晶確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
電容測量
測量范圍:1~460pF(460pF以上的電容測量見使用規(guī)則);
電容量調(diào)節(jié)范圍
主調(diào)電容器:40~500pF;
準(zhǔn) 確 度:150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%;
微調(diào)電容量:-3pF~0~+3pF;
準(zhǔn) 確 度:±0.2pF。
振蕩頻率
a.振蕩頻率范圍:25kHz~50MHz;
b.頻率分檔:25~74kHz, 74~213kHz, 213-700kHz, 700kHz~1.95MHz,
1.95MHz~5.2MHz, 5.2MHz~17MHz, 17~50MHz。
c.頻率誤差:2×10-4±1個字。
Q合格指示預(yù)置功能,預(yù)置范圍:5~999。
儀器正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;
b.相對濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
試樣尺寸圓片形:厚度2+0.5mm,直徑為Φ30~40mm(ε<12時),φ25~35mm(ε=12~30時),φ15~20mm(ε>30時)
其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
Q合格指示預(yù)置功能
預(yù)置范圍:5~1000。
Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;
b.相對濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
四、全自動抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是一種新穎的測量介質(zhì)損耗角正切值(tgδ)和電容值(Cx)的智能化儀 介質(zhì)損耗測試儀圖片
器。可以在工頻高壓下,現(xiàn)場測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗角正切值(tgδ)和電容值(Cx)。儀器為一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器和升壓電源,體積小、重量輕,便于攜帶,具有操作簡單、自動測量、讀數(shù)直觀、無需換算、精度高、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點,亦可外接電源與本廠生產(chǎn)的各種規(guī)格的高電壓等級的標(biāo)準(zhǔn)電容器配套使用,用以測量高壓介損。
2.高壓輸出 2KV 5KV 10KV 三檔
容 量 1000VA
3. 精 度
tgδ范 圍 精度(正、反接法)
tgδ<15% △ tgδ:±(讀數(shù)*1.0%+0.05%)
關(guān)于高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀的技術(shù)性綜述文章框架及核心內(nèi)容,適用于工程師、研究人員或技術(shù)決策者參考:
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀:原理、技術(shù)與應(yīng)用前沿
文摘
高頻介電性能(介電常數(shù)(varepsilon_r)和損耗角正切(tan delta))是材料在射頻(RF)、微波及毫米波領(lǐng)域的關(guān)鍵參數(shù)。本文系統(tǒng)解析高頻介電測試儀的技術(shù)原理、主流測量方法、系統(tǒng)組成、校準(zhǔn)挑戰(zhàn)及前沿發(fā)展趨勢,為材料研發(fā)與工程應(yīng)用提供技術(shù)依據(jù)。
一、測量原理與核心參數(shù)
1.介電常數(shù)((varepsilon_r))
表征材料存儲電場能量的能力:(varepsilon_r=varepsilon j varepsilon)
實部(varepsilon'):極化能力;虛部(varepsilon''):能量損耗
2.介質(zhì)損耗角正切((tan delta))
定義:(tan delta=varepsilon/varepsilon'),損耗越低(tan delta)越小
直接決定器件Q值:(Q approx 1/tan delta)
二、主流測量技術(shù)方法
1.傳輸/反射法(頻域法)
原理:通過矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)測量材料對入射電磁波的S參數(shù)((S_{11},S_{21})),反演(varepsilon_r)和(tan delta)
適用頻段:1 MHz–110GHz(覆蓋5G/6G毫米波)
常用夾具:
同軸空氣線(適用于粉末/液體):ASTM D5568
波導(dǎo)夾具(毫米波頻段):精度高,需精密機(jī)加工
微帶線/共面波導(dǎo)(CPW)夾具:兼容集成電路基板測試
算法:Nicolson Ross Weir(NRW)、迭代優(yōu)化算法
2.諧振法
原理:利用介質(zhì)諧振器或腔體,通過諧振頻率(f_0)和品質(zhì)因數(shù)(Q)計算參數(shù)
(varepsilon_r propto(f_text{airf_0)^2),(tan delta propto 1/Q)
優(yōu)勢:超高精度(tan delta)低至(10^6,適合低損耗材料
類型:
圓柱腔法(TE(_{01 delta})模):IEC 61189 2
開式諧振腔:非接觸測量,適合薄膜/柔性材料
三、測試系統(tǒng)核心組件
|模塊|技術(shù)要求|
|||
|信號源|寬頻帶(DC~110 GHz)、高相位穩(wěn)定性|
|矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀|動態(tài)范圍>130 dB,時域門功能抑制雜散反射|
|測試夾具|阻抗匹配(50Ω)、低駐波比(VSWR<1.2)|
|校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件|SOLT(短路開路負(fù)載直通)、TRL(直通反射線)|
|軟件算法|材料參數(shù)反演、去嵌入(De embedding)、誤差修正|
四、技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案
1.校準(zhǔn)精度問題
挑戰(zhàn):夾具界面反射、電纜相位漂移、高階模耦合
方案:
TRL校準(zhǔn):消除夾具系統(tǒng)誤差(黃金標(biāo)準(zhǔn))
時域門(TDR):分離夾具與樣品的反射信號
2.高頻邊緣場效應(yīng)
挑戰(zhàn):>30 GHz時,電磁場在樣品邊緣衍射導(dǎo)致誤差
方案:
樣品尺寸>5倍波長((lambda))
采用模式匹配法修正邊緣場
3.薄膜/非均勻材料測試
方案:
開式諧振腔:分辨率達(dá)納米級薄膜
太赫茲時域光譜(THz TDS):擴(kuò)展至0.1~4 THz頻段
五、前沿技術(shù)趨勢
1.多物理場聯(lián)測系統(tǒng)
同步測量介電性能+導(dǎo)熱系數(shù)(如5G基站材料)
2.人工智能輔助優(yōu)化
深度學(xué)習(xí)反演算法:提升NRW法在強(qiáng)損耗材料中的精度
3.片上測量(On Wafer)
探針臺集成:直接測試晶圓級材料(180 GHz以上)
4.高溫/低溫原位測試
拓展至196°C(液氮)~500°C(航空航天熱工況)
六、標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范
國際標(biāo)準(zhǔn):
IEEE 1528(天線罩材料)
IPC TM 650 2.5.5.5(PCB高頻測試)
IEC 60250(液體電介質(zhì))
中國國標(biāo):GB/T 1409 2006(固體絕緣材料)
七、選型指南
|需求場景|推薦技術(shù)方案
|毫米波材料(>30 GHz)|波導(dǎo)夾具+VNA(110 GHz)+TRL校準(zhǔn)
|超低損耗陶瓷((tan delta<10^{4}))|圓柱諧振腔法
|柔性薄膜/生物材料