背景：

硅片，是一種圓形的片狀材料，其原子經過人工重新排列，是具有晶向的高純半導體材料。由于硅元素在占地殼質量的26%，所以單晶硅是目前主要的半導體材料。單晶硅是目半導體材料，占據半導體材料市場的90%以上，是信息技術和集成電路的基礎材料。        

   XRD硅片衍射高溫測實驗裝置是區別于目前常溫下對硅片進行測試的裝置，現在是基于一種高溫環境下對硅片衍射提供一種更加復雜的環境即高溫條件下測試硅片的性能，是材料研究中一種變溫裝置。

主要技術參數：

材質：不銹鋼材質

溫度范圍：室溫～500℃

加熱平臺：φ200mm

平面射角：-40°≤α≤40°，射線垂面射角：-2°≤β≤70°

升溫速率<5℃/min

主測溫：熱電偶，紅外測溫（輔助）

溫度顯示/控制精度：0.1℃/0.5℃

實驗環境：腔體密閉，可充氣氛

冷卻方式：循環水冷

溫度控制：調節器精度0.2級，PID人工智能控制，50段程序

溫控軟件：中英文界面切換，實時操控，多點溫度校正、可設置溫速、控溫區間等，工藝曲線顯示與記錄

運動控制儀：一軸熱臺水平移動，一軸熱臺旋轉，一軸紅外測溫移動。手動或軟件操控