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邊緣AI崛起在即，TrendForce揭示2025年NB DRAM平均容量至少提升7%
2024年06月27日 09:31:24
來源：化工儀器網 點擊量：4891
據TrendForce集邦咨詢的最新報告，這些大型CSPs將進一步擴大邊緣AI的發展，從而帶動2025年NB DRAM（筆記本電腦動態隨機存取存儲器）平均搭載容量的顯著增長，增幅至少達到7%。
【化工儀器網 行業百態】 在科技飛速發展的今天，云端計算服務提供商(CSPs)如Microsoft、Google、Meta、AWS等，正以其強大的技術實力和創新能力，引領著人工智能(AI)領域的革新。據TrendForce集邦咨詢的最新報告，這些大型CSPs將進一步擴大邊緣AI的發展，從而帶動2025年NB DRAM(筆記本電腦動態隨機存取存儲器)平均搭載容量的顯著增長，增幅至少達到7%。
TrendForce集邦咨詢在報告中詳細分析了CSPs在AI領域的發展動態，以及這些變化對終端設備，尤其是NB中DRAM搭載容量的影響。報告指出，隨著AI技術的不斷進步和應用場景的日益廣泛，待2024年CSPs逐步完成建置一定數量AI訓練用server基礎設施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI server，促其企業客戶在制造、金融、醫療、商務等各領域應用落地。
這種趨勢的推動下，NB作為連接云端AI基礎設施和邊緣AI應用的重要終端設備，其對于DRAM的需求也將大幅增長。特別是那些搭載了AI功能的NB，由于其需要處理更為復雜的數據和任務，因此對于DRAM的容量和性能要求也更高。
TrendForce集邦咨詢預計，到2025年，隨著AI NB滲透率的快速提升，從2024年的1%增長至2025年的20.4%，且AI NB普遍搭載16GB以上的DRAM，這將至少帶動整體NB DRAM平均搭載容量增長0.8GB，增幅至少為7%。
此外，報告還指出，隨著AI技術的廣泛應用，消費者對于更智能、更高效的終端設備的需求也在快速增長。這種趨勢將進一步推動NB中DRAM搭載容量的提升，以滿足市場對于高性能、高容量存儲設備的需求。
TrendForce集邦咨詢認為，AI NB除了帶動NB DRAM平均搭載容量提升外，還將帶動省電、高頻率存儲器的需求。在這種情況下，相較于DDR，LPDDR更能凸顯其優勢，因而加速LPDDR替代DDR的趨勢。對原本追求可擴展性的DDR、SO-DIMM方案而言，轉換至同屬模塊的LPDDR、LPCAMM方案亦為LPDDR on board之外的選項之一。
TrendForce集邦咨詢的這份報告為我們揭示了CSPs在邊緣AI領域的發展動態，以及這些變化對NB等終端設備中DRAM搭載容量的影響。隨著AI技術的不斷進步和應用場景的日益廣泛，我們有理由相信，未來的終端設備將更加強大、智能，為用戶帶來更加出色的使用體驗。
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